אילוסטראציע פון דער פּרינציפּ פון זונ פּאַנאַלז
אילוסטראציע פון דער פּרינציפּ פון זונ פּאַנאַלז
זונ ענערגיע איז דער בעסטער ענערגיע מקור פֿאַר מענטשהייַט, און זייַן אומגעמאַכט און רינואַבאַל קעראַקטעריסטיקס באַשטימען אַז עס וועט ווערן די טשיפּאַסט און מערסט פּראַקטיש ענערגיע מקור פֿאַר מענטשהייַט. זונ פּאַנאַלז זענען ריין ענערגיע אָן קיין ינווייראַנמענאַל פאַרפּעסטיקונג. Dayang Optoelectronics האט דעוועלאָפּעד ראַפּאַדלי אין די לעצטע יאָרן, איז די מערסט דינאַמיש פאָרשונג פעלד און איז אויך איינער פון די מערסט הויך-פּראָפיל פּראַדזשעקס.
דער אופֿן פון מאכן זונ פּאַנאַלז איז דער הויפּט באזירט אויף סעמיקאַנדאַקטער מאַטעריאַלס, און זייַן אַרבעט פּרינציפּ איז צו נוצן פאָוטאָועלעקטריק מאַטעריאַלס צו אַרייַנציען ליכט ענערגיע נאָך פאָוטאָוילעקטריק קאַנווערזשאַן אָפּרוף, לויט די פאַרשידענע מאַטעריאַלס געניצט, קענען זיין צעטיילט אין: סיליציום-באזירט זונ סעלז און דין. -פילם זונ סעלז, הייַנט דער הויפּט צו רעדן צו איר וועגן סיליציום-באזירט זונ פּאַנאַלז.
ערשטער, סיליציום זונ - פּאַנאַלז
סיליציום זונ - צעל אַרבעט פּרינציפּ און סטרוקטור דיאַגראַמע דער פּרינציפּ פון זונ - צעל מאַכט דור איז דער הויפּט די פאָטאָעלעקטריק ווירקונג פון סעמיקאַנדאַקטערז, און די הויפּט סטרוקטור פון סעמיקאַנדאַקטערז איז ווי גייט:
א positive לאדונג רעפּראַזענץ אַ סיליציום אַטאָם, און אַ נעגאַטיוו אָפּצאָל רעפּראַזענץ פיר עלעקטראָנס אָרביטינג אַ סיליציום אַטאָם. ווען די סיליציום קריסטאַל איז געמישט מיט אנדערע ימפּיוראַטיז, אַזאַ ווי באָראָן, פאַספעראַס, אאז"ו ו, ווען באָראָן איז צוגעגעבן, עס וועט זיין אַ לאָך אין די סיליציום קריסטאַל, און זייַן פאָרמירונג קענען אָפּשיקן צו די פאלגענדע פיגור:
א positive לאדונג רעפּראַזענץ אַ סיליציום אַטאָם, און אַ נעגאַטיוו אָפּצאָל רעפּראַזענץ פיר עלעקטראָנס אָרביטינג אַ סיליציום אַטאָם. די געל ינדיקייץ די ינקאָרפּערייטיד באָר אַטאָם, ווייַל עס זענען בלויז 3 עלעקטראָנס אַרום די באָראַן אַטאָם, אַזוי עס וועט פּראָדוצירן די בלוי לאָך געוויזן אין די פיגור, וואָס ווערט זייער אַנסטייבאַל ווייַל עס זענען קיין עלעקטראָנס, און עס איז גרינג צו אַרייַנציען עלעקטראָנס און נוטראַלייז , פאָרמינג אַ פּ (positive) טיפּ סעמיקאַנדאַקטער. פּונקט אַזוי, ווען פאָספאָר אַטאָמס זענען ינקאָרפּערייטיד, ווייַל פאַספער אַטאָמס האָבן פינף עלעקטראָנס, איין עלעקטראָן ווערט זייער אַקטיוו, פאָרמירונג N (נעגאַטיוו) טיפּ האַלב-קאָנדוקטאָרס. די געל זענען פאָספאָרוס קערן, און די רויט זענען די וידעפדיק עלעקטראָנס. ווי געוויזן אין די פיגור אונטן.
פּ-טיפּ סעמיקאַנדאַקטערז אַנטהאַלטן מער האָלעס, בשעת N-טיפּ האַלב-קאָנדוקטאָרס אַנטהאַלטן מער עלעקטראָנס, אַזוי אַז ווען פּ-טיפּ און N-טיפּ סעמיקאַנדאַקטערז זענען קאַמביינד, אַן עלעקטריש פּאָטענציעל חילוק וועט זיין געשאפן ביי די קאָנטאַקט ייבערפלאַך, וואָס איז די פּן קנופּ.
ווען פּ-טיפּ און N-טיפּ סעמיקאַנדאַקטערז זענען קאַמביינד, אַ ספּעציעל דין שיכטע איז געשאפן אין די ינטערפאַסיאַל געגנט פון די צוויי סעמיקאַנדאַקטערז), און די פּ-טיפּ זייַט פון די צובינד איז נעגאַטיוו טשאַרדזשינג און די N-טיפּ זייַט איז דורכויס טשאַרדזשינג. דאָס איז רעכט צו דעם פאַקט אַז פּ-טיפּ האַלב-קאָנדוקטאָרס האָבן קייפל האָלעס, און N-טיפּ האַלב-קאָנדוקטאָרס האָבן פילע פריי עלעקטראָנס, און עס איז אַ קאַנסאַנטריישאַן חילוק. עלעקטראָנס אין די N געגנט דיפיוזד אין די P געגנט, און האָלעס אין די P געגנט דיפיוזד אין די N געגנט, פאָרמינג אַ "ינערלעך עלעקטריק פעלד" דירעקטעד פון N צו P, אַזוי פּרעווענטינג דיפיוזשאַן פון פּראַסידינג. נאָך דערגרייכן יקוואַליבריאַם, אַזאַ אַ ספּעציעל דין שיכטע איז געשאפן צו פאָרעם אַ פּאָטענציעל חילוק, וואָס איז די פּן קנופּ.
ווען די ווייפער איז יקספּאָוזד צו ליכט, די האָלעס פון די N-טיפּ סעמיקאַנדאַקטער אין די פּן קנופּ מאַך צו די P-טיפּ געגנט, און די עלעקטראָנס אין די P-טיפּ געגנט מאַך צו די N-טיפּ געגנט, ריזאַלטינג אין אַ קראַנט פון די N-טיפּ געגנט צו די P-טיפּ געגנט. דערנאָך אַ פּאָטענציעל חילוק איז געשאפן אין די פּן קנופּ, וואָס פארמען די מאַכט צושטעלן.